可编程光电化学微纳加工平台

一、成果简介

本项目针对超精细纳米阵列结构光电材料加工需求，结合光刻工艺、无电镀技术和电化学湿法刻蚀技术，以硅材料的超精细加工为基础，研制成低温可编程电化学刻蚀硅微纳加工平台，可以实现硅微纳结构的可控图形化加工。该平台主要包含模糊PID电化学刻蚀优化控制算法、数据采集卡、可编程直流稳压电源、电化学刻蚀槽、低温恒温系统和LED光辅照等设备。它可以通过可编程电源精确控制化学湿法刻蚀过程中体硅内部载流子的运动，通过LED光辐照设备控制空穴浓度，通过低温恒温系统抑制温度引起的热运动对刻蚀精度的影响。该平台已经成功制备多孔硅光子晶体、图形化SiNWs阵列、高度有序Si-MCP阵列等。例如在硅衬底上光刻窗口尺寸大约为5μm×5μm图形化阵列，可以加工开口约为5μm×5μm，壁厚约1μm，深度可达250μm的Si-MCP阵列结构。Si-MCP开口尺寸和图形由光刻工艺控制，其深度由光辐照强度、刻蚀脉冲电流密度、刻蚀液浓度和温度等因素联合控制。

二、联系方式

有合作意向的企业请联络北林区工业信息科技局，电话：0455-8106381、0455-8106380。